|
型号:APT10M25BVRG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCE65B
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCD65K
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 650V 17A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10M19BVRG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCD65KCT
|
制造商:
|
描述:DIODE SILICON 650V 17A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11F80B
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCE170B
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCD120BCT
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10M19SVRG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11F80S
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10M11LVRG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO264
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11GF120BRDQ1G
|
制造商:
|
描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCD120K
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10M19SVFRG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCD120B
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11N80BC3G
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11GP60BDQBG
|
制造商:
|
描述:IGBT 600V 41A 187W TO247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11N80KC3G
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT10SCE65K
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:APT11GF120KRG
|
制造商:
|
描述:IGBT 1200V 25A 156W TO220
|
RoHs状态:RoHS
|