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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Diodes Incorporated

  • DMG4800LK3-13 Image
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产品概述

型号 DMG4800LK3-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
数据库 1.DMG4800LK3-13.pdf 2.DMG4800LK3-13.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMG4800LK3-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds798 pF @ 10 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）10A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）30 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs8.7 nC @ 5 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMG4800
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）1.71W (Ta)
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±25V
  • VGS（TH）（最大）@标识1.6V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压17mOhm @ 9A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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相关标签

  • Diodes
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