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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Diodes Incorporated

  • DMG7N65SCT Image
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产品概述

型号 DMG7N65SCT
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
数据库 1.DMG7N65SCT.pdf 2.DMG7N65SCT.pdf 3.DMG7N65SCT.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMG7N65SCT
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds886 pF @ 50 V
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）7.7A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs25.2 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号DMG7N65
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）125W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压1.4Ohm @ 2.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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