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DMHT10H032LFJ-13

Diodes Incorporated

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产品概述

型号 DMHT10H032LFJ-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045
数据库 1.DMHT10H032LFJ-13.pdf 2.DMHT10H032LFJ-13.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
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产品特性

  • 型号DMHT10H032LFJ-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045
  • 产品分类44
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds683pF @ 50V
  • 组态4 N-Channel (Half Bridge)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）6A (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs11.9nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体12-PowerVDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMHT10
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大900mW
  • 供应商设备封装V-DFN5045-12 (Type C)
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压33mOhm @ 6A, 10V
  • FET特点-

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