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DMN30H4D0L-7-52

Diodes Incorporated

  • DMN30H4D0L-7-52 Image
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产品概述

型号 DMN30H4D0L-7-52
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET BVDSS: 251V~500V SOT23 T&
数据库 DMN30H4D0L-7-52.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMN30H4D0L-7-52
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 251V~500V SOT23 T&
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）2.7V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds187.3 pF @ 25 V
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）250mA (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）300 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs7.6 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMN30
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）310mW (Ta)
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识3V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压4Ohm @ 300mA, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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