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DMN62D0UDWQ-13

Diodes Incorporated

  • DMN62D0UDWQ-13 Image
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产品概述

型号 DMN62D0UDWQ-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
数据库 1.DMN62D0UDWQ-13.pdf 2.DMN62D0UDWQ-13.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMN62D0UDWQ-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
  • 产品分类44
  • 产品状态10000 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds32pF @ 30V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）350mA (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs0.5nC @ 4.5V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMN62
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大320mW (Ta)
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识1.1V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压2Ohm @ 100mA, 4.5V
  • FET特点-

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 型号：

DMN62D0UV-13

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 RoHs状态：

RoHS
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