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DMN63D1LV-13

Diodes Incorporated

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产品概述

型号 DMN63D1LV-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
数据库 1.DMN63D1LV-13.pdf 2.DMN63D1LV-13.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMN63D1LV-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
  • 产品分类44
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds30pF @ 25V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）550mA (Ta)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs0.392nC @ 4.5V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体SOT-563, SOT-666
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMN63
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大940mW
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压2Ohm @ 500mA, 10V
  • FET特点-

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 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

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 		制造商：

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 描述：

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 RoHs状态：

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DMN62D4LDW-13

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 描述：

2N7002 FAMILY SOT363 T&R 10K

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 型号：

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DMN63D1L-13

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DMN63D1LW-13

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 型号：

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