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DMN63D8LDW-13

Diodes Incorporated

  • DMN63D8LDW-13 Image
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产品概述

型号 DMN63D8LDW-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
数据库 1.DMN63D8LDW-13.pdf 2.DMN63D8LDW-13.pdf 3.DMN63D8LDW-13.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号DMN63D8LDW-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
  • 产品分类44
  • 产品状态9800 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds22pF @ 25V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）220mA
  • 漏极至源极电压（Vdss）30V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs0.87nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号DMN63
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大300mW
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识1.5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压2.8Ohm @ 250mA, 10V
  • FET特点Logic Level Gate

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相关标签

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