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DMT6009LJ3

Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated
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产品概述

型号 DMT6009LJ3
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
数据库 1.DMT6009LJ3.pdf 2.DMT6009LJ3.pdf 3.DMT6009LJ3.pdf 4.DMT6009LJ3.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
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产品特性

  • 型号DMT6009LJ3
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1925 pF @ 30 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）74.5A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs33.5 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号DMT6009
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）2.9W (Ta), 83.3W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-251 (Type TH)
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±16V
  • VGS（TH）（最大）@标识2V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压10mOhm @ 13.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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