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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > DMT64M8LCG-13

DMT64M8LCG-13

Diodes Incorporated

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产品概述

型号 DMT64M8LCG-13
厂家/品牌 Diodes Incorporated
产品描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
数据库 1.DMT64M8LCG-13.pdf 2.DMT64M8LCG-13.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
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产品特性

  • 型号DMT64M8LCG-13
  • 制造商Diodes Incorporated
  • 描述MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds2664 pF @ 30 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs47.5 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-PowerVDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）990mW (Ta)
  • 供应商设备封装V-DFN3333-8 (Type B)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压4.8mOhm @ 20A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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