|
型号:GSFC0204
|
制造商:
Good-Ark Semiconductor
|
描述:MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D20120G
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:DMTH6010SPS-13
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IRFD310
|
制造商:
Harris Corporation
|
描述:0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D20120D
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:STH3N150-2
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GP2M004A060CG
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IRF1018EPBF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D20120A
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 54.5A TO220
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D10120A
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FCP600N65S3R0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D02120E
|
制造商:
|
描述:SIC, SCHOTTKY DIODE, 2A, 1200V,
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:TK4R3A06PL,S4X
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 68A TO220SIS
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D02120E-TR
|
制造商:
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4D10120E
|
制造商:
|
描述:SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 1200V,
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:G2312
|
制造商:
|
描述:N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4DA-WL1C
|
制造商:
|
描述:AMP FOR E4DA 3 LEVEL OUT ALARM
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:E4DA-LS7
|
制造商:
|
描述:SENSOR PROX ULTRASON 30-70MM MOD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB070AN06A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IRFR3711ZTRL
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|