|
型号:EM6K6T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6OE08NW9A-07H
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6M2T2CR
|
制造商:
|
描述:MOSFET N/P-CH 20V EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6HE16EWAKG-10IH
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K33T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6J1T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K31T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6HF16EBXB-12SH
|
制造商:
|
描述:8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6OE16NWAKA-07IH
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6HE16EWXD-10IH
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K1T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K7T2CR
|
制造商:
|
描述:1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6OE16NWAKA-07H
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K7T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6HE16EWXD-10H
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6J1T2CR
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2P-CH 20V EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6M2T2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K31GT2R
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6K34T2CR
|
制造商:
|
描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:EM6OE08NW9A-07IH
|
制造商:
|
描述:IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA
|
RoHs状态:RoHS
|