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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > FBG10N05ASH

FBG10N05ASH

EPC Space, LLC

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产品概述

型号 FBG10N05ASH
厂家/品牌 EPC Space, LLC
产品描述 GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
数据库 FBG10N05ASH.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 25 pcs

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产品特性

  • 型号FBG10N05ASH
  • 制造商EPC Space, LLC
  • 描述GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
  • 产品分类46
  • 产品状态25 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds233 pF @ 50 V
  • 系列eGaN®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）5A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs2.2 nC @ 5 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体4-SMD, No Lead
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）-
  • 供应商设备封装4-SMD
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）+6V, -4V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 1.2mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压45mOhm @ 5A, 5V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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