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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > FBG10N30BSH

FBG10N30BSH

EPC Space, LLC

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产品概述

型号 FBG10N30BSH
厂家/品牌 EPC Space, LLC
产品描述 GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
数据库 FBG10N30BSH.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 25 pcs

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产品特性

  • 型号FBG10N30BSH
  • 制造商EPC Space, LLC
  • 描述GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
  • 产品分类46
  • 产品状态25 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1000 pF @ 50 V
  • 系列eGaN®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）30A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs11 nC @ 5 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体4-SMD, No Lead
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）-
  • 供应商设备封装4-SMD
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）+6V, -4V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 5mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压12mOhm @ 30A, 5V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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FBG20N18BSH Image
 型号：

FBG20N18BSH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
IRLML2803GTRPBF Image
 型号：

IRLML2803GTRPBF

 		制造商：

Infineon Technologies

 描述：

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3

 RoHs状态：

RoHS
FBG10N05ASH Image
 型号：

FBG10N05ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG30N04CC Image
 型号：

FBG30N04CC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG04N30BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

BUK7109-75ATE,118

 		制造商：

Nexperia USA Inc.

 描述：

MOSFET N-CH 75V 75A SOT426

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG20N18BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

NTD4809NH-1G

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG20N04ASH

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 描述：

GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
PJQ5461A_R2_00001 Image
 型号：

PJQ5461A_R2_00001

 		制造商：

Panjit International Inc.

 描述：

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

 RoHs状态：

RoHS
FBG20N04AC Image
 型号：

FBG20N04AC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N08ASH Image
 型号：

FBG04N08ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG04N30BSH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

NTD23N03RT4G

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK

 RoHs状态：

RoHS
2SK3020-TP Image
 型号：

2SK3020-TP

 		制造商：

Micro Commercial Co

 描述：

N-CHANNEL MOSFET,SOT-723

 RoHs状态：

RoHS
NILMS4501NR2G Image
 型号：

NILMS4501NR2G

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N08AC Image
 型号：

FBG04N08AC

 		制造商：

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GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

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 型号：

FBG10N05AC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG10N30BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
IRF730 Image
 型号：

IRF730

 		制造商：

STMicroelectronics

 描述：

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS

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