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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > FBG20N18BSH

FBG20N18BSH

EPC Space, LLC

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产品概述

型号 FBG20N18BSH
厂家/品牌 EPC Space, LLC
产品描述 GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
数据库 FBG20N18BSH.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 25 pcs

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产品特性

  • 型号FBG20N18BSH
  • 制造商EPC Space, LLC
  • 描述GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
  • 产品分类46
  • 产品状态25 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds900 pF @ 100 V
  • 系列e-GaN®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）18A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）200 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs7 nC @ 5 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体4-SMD, No Lead
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）-
  • 供应商设备封装4-SMD
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）+6V, -4V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 3mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压28mOhm @ 18A, 5V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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FBG20N04ASH Image
 型号：

FBG20N04ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG10N30BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

FBG04N08AC

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 型号：

FBG04N08ASH

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 描述：

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 型号：

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 型号：

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 型号：

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GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

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STFI14N80K5

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 型号：

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 型号：

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MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

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RoHS
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 型号：

PHK5NQ15T518

 		制造商：

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 描述：

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

 RoHs状态：

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 型号：

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 型号：

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RoHS
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 型号：

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 描述：

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 RoHs状态：

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 型号：

IXTK102N30P

 		制造商：

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 描述：

MOSFET N-CH 300V 102A TO264

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 型号：

FBG10N30BSH

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 描述：

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 型号：

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 型号：

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EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

HUFA75329D3S

 		制造商：

onsemi

 描述：

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RoHS

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