• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > FBG30N04CC

FBG30N04CC

EPC Space, LLC

  • 图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 FBG30N04CC
厂家/品牌 EPC Space, LLC
产品描述 GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
数据库 FBG30N04CC.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 93 pcs

参考价格(美元)
1
$316.673

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号FBG30N04CC
  • 制造商EPC Space, LLC
  • 描述GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
  • 产品分类46
  • 产品状态93 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds450 pF @ 150 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）4A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）300 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs2.6 nC @ 5 V
  • 技术GaNFET (Gallium Nitride)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体4-SMD, No Lead
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）-
  • 供应商设备封装4-SMD
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）+6V, -4V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.8V @ 600µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压404mOhm @ 4A, 5V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

相关产品

FBG20N18BSH Image
 型号：

FBG20N18BSH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
STL110N10F7 Image
 型号：

STL110N10F7

 		制造商：

STMicroelectronics

 描述：

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

 RoHs状态：

RoHS
IRFF131 Image
 型号：

IRFF131

 		制造商：

International Rectifier

 描述：

MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF

 RoHs状态：

RoHS
SCT3060ARHRC15 Image
 型号：

SCT3060ARHRC15

 		制造商：

Rohm Semiconductor

 描述：

650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

 RoHs状态：

RoHS
IRLR3105TRPBF Image
 型号：

IRLR3105TRPBF

 		制造商：

Infineon Technologies

 描述：

MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

 RoHs状态：

RoHS
FBG10N05AC Image
 型号：

FBG10N05AC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG10N30BC Image
 型号：

FBG10N30BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
YJQ50N03B Image
 型号：

YJQ50N03B

 		制造商：

Yangjie Technology

 描述：

DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist

 RoHs状态：

RoHS
FBG20N04ASH Image
 型号：

FBG20N04ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG10N30BSH Image
 型号：

FBG10N30BSH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
FBG20N18BC Image
 型号：

FBG20N18BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N30BC Image
 型号：

FBG04N30BC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N08ASH Image
 型号：

FBG04N08ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
TN2640K4-G Image
 型号：

TN2640K4-G

 		制造商：

Microchip Technology

 描述：

MOSFET N-CH 400V 500MA TO252

 RoHs状态：

RoHS
FBG20N04AC Image
 型号：

FBG20N04AC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG10N05ASH Image
 型号：

FBG10N05ASH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N08AC Image
 型号：

FBG04N08AC

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

 RoHs状态：

RoHS
FBG04N30BSH Image
 型号：

FBG04N30BSH

 		制造商：

EPC Space, LLC

 描述：

GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

 RoHs状态：

RoHS
NVMFWS0D7N04XMT1G Image
 型号：

NVMFWS0D7N04XMT1G

 		制造商：

onsemi

 描述：

40V T10M IN S08FL PACKAGE

 RoHs状态：

RoHS
SQJA82EP-T1_BE3 Image
 型号：

SQJA82EP-T1_BE3

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

 RoHs状态：

RoHS

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们