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产品概述

型号 FCP165N65S3
厂家/品牌 AMI Semiconductor/onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
数据库 1.FCP165N65S3.pdf 2.FCP165N65S3.pdf 3.FCP165N65S3.pdf 4.FCP165N65S3.pdf 5.FCP165N65S3.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 731 pcs

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产品特性

  • 型号FCP165N65S3
  • 制造商AMI Semiconductor/onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
  • 产品分类46
  • 产品状态731 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1500 pF @ 400 V
  • 系列SuperFET® III
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）19A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）650 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs39 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号FCP165
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）154W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 产品状态Not For New Designs
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识4.5V @ 1.9mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压165mOhm @ 9.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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