|
型号:FDB13AN06A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB13AN06A0
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB20AN06A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB12N50TM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB15N50_NL
|
制造商:
|
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB12N50TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB12N50FTM-WS
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB14AN06LA0-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB12N50UTM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB1D7N10CL7
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB12N50UTM_WS
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB14AN06LA0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB14AN06LA0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB150N10
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB14N30TM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB20AN06A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB15N50
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB16AN08A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB16AN08A0
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB150N10
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|