|
型号:FDB2710
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB28N30TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3652-F085
|
制造商:
|
描述:N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 10
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3502
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2710
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB33N25TM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3632-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3502
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3632_SB82115
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2572
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3652SB82059
|
制造商:
|
描述:1-ELEMENT, N-CHANNEL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2670
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2614
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2614
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3632
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3652
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2670
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB28N30TM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB2572
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB3632
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|