|
型号:FDB8832-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8870-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8860-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8860-F085
|
制造商:
|
描述:FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8876
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8896
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8876
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8870
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8832-F085
|
制造商:
|
描述:FDB8832 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8870-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8878
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO263
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8880
|
制造商:
|
描述:11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8860
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8896
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8870
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8878
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO263
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8880
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8896-F085
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8860
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDB8880-ON
|
制造商:
|
描述:11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
|
RoHs状态:RoHS
|