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产品概述

型号 FQD17N08LTM
厂家/品牌 onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
数据库 1.FQD17N08LTM.pdf 2.FQD17N08LTM.pdf 3.FQD17N08LTM.pdf 4.FQD17N08LTM.pdf 5.FQD17N08LTM.pdf 6.FQD17N08LTM.pdf 7.FQD17N08LTM.pdf
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产品特性

  • 型号FQD17N08LTM
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds520 pF @ 25 V
  • 系列QFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）12.9A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）80 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs11.5 nC @ 5 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号FQD17N08
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）2.5W (Ta), 40W (Tc)
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压100mOhm @ 6.45A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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