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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > FQD19N10TM

FQD19N10TM

Fairchild Semiconductor

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产品概述

型号 FQD19N10TM
厂家/品牌 Fairchild Semiconductor
产品描述 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
数据库
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号FQD19N10TM
  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 描述POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds780 pF @ 25 V
  • 系列QFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）15.6A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs25 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Bulk
  • 功率耗散（最大）2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-252, (D-Pak)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±25V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压100mOhm @ 7.8A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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