|
型号:FQD2N50TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N100TM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N40TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60CTM-WS
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N80TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N40TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60CTM
|
制造商:
|
描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N80TM_WS
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60CTM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N100TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60CTF_F080
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N50TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N60CTF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N100TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N50TF
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N80TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FQD2N30TM
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
|
RoHs状态:RoHS
|