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产品概述

型号 FQI4N80TU
厂家/品牌 AMI Semiconductor/onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
数据库 1.FQI4N80TU.pdf 2.FQI4N80TU.pdf 3.FQI4N80TU.pdf 4.FQI4N80TU.pdf 5.FQI4N80TU.pdf 6.FQI4N80TU.pdf 7.FQI4N80TU.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号FQI4N80TU
  • 制造商AMI Semiconductor/onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds880 pF @ 25 V
  • 系列QFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）3.9A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）800 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs25 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号FQI4N80
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）3.13W (Ta), 130W (Tc)
  • 供应商设备封装I2PAK (TO-262)
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压3.6Ohm @ 1.95A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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