• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
  • FQP19N10L Image
    图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 FQP19N10L
厂家/品牌 onsemi
产品描述 MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
数据库 1.FQP19N10L.pdf 2.FQP19N10L.pdf 3.FQP19N10L.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 0 pcs

参考价格(美元)

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号FQP19N10L
  • 制造商onsemi
  • 描述MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds870 pF @ 25 V
  • 系列QFET®
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）19A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs18 nC @ 5 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号FQP1
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）75W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 产品状态Obsolete
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压100mOhm @ 9.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

相关产品

FQP19N20C Image
 型号：

FQP19N20C

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N10 Image
 型号：

FQP19N10

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20C_F080 Image
 型号：

FQP19N20C_F080

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP17N40 Image
 型号：

FQP17N40

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 400V 16A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP18N50V2 Image
 型号：

FQP18N50V2

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP17N08L Image
 型号：

FQP17N08L

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20CTSTU Image
 型号：

FQP19N20CTSTU

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20 Image
 型号：

FQP19N20

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20-T Image
 型号：

FQP19N20-T

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20 Image
 型号：

FQP19N20

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20L Image
 型号：

FQP19N20L

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N10L Image
 型号：

FQP19N10L

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20C Image
 型号：

FQP19N20C

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

 RoHs状态：

RoHS
FQP17P10 Image
 型号：

FQP17P10

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP17P06 Image
 型号：

FQP17P06

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

 RoHs状态：

RoHS
FQP19N20L Image
 型号：

FQP19N20L

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP18N20V2 Image
 型号：

FQP18N20V2

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP18N50V2 Image
 型号：

FQP18N50V2

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS
FQP17P10 Image
 型号：

FQP17P10

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

 RoHs状态：

RoHS
FQP17P06 Image
 型号：

FQP17P06

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3

 RoHs状态：

RoHS

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们