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G06N06S

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
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产品概述

型号 G06N06S
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
数据库 G06N06S.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 6144 pcs

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产品特性

  • 型号G06N06S
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
  • 产品分类46
  • 产品状态6144 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1600 pF @ 30 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）8A
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs46 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）2.1W
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压22mOhm @ 6A, 10V
  • FET型N-Channel

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