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型号:G10-A-0375-50-012
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制造商:
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描述:MAGNET 0.628"D X 0.200"THICK CYL
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1003B
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制造商:
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描述:N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10-A-0375-50-016
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制造商:
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描述:MAGNET 0.628"D X 0.200"THICK CYL
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1007
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制造商:
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描述:N100V,7A,RD<110M@10V,VTH1.0V~3.0
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10N06
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制造商:
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描述:N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1002
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10N03S
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制造商:
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描述:N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10H150CTFW
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制造商:
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描述:TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER GEN II
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10-A-0375-25-010
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制造商:
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描述:MAGNET 0.628"D X 0.200"THICK CYL
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10N50
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制造商:
Harris Corporation
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描述:G10N50
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1002L
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制造商:
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描述:N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10N10A
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制造商:
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描述:N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
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RoHs状态:RoHS
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型号:G100N03D5
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制造商:
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描述:N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1008B
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制造商:
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描述:N100V, 8A,RD<130M@10V,VTH1V~3V,
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RoHs状态:RoHS
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型号:G100C04D52
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制造商:
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描述:N/P 40V,40A/-24A,RD(MAX)<9M/16M@
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10P03
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制造商:
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描述:P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1006LE
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制造商:
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描述:N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10100F4
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制造商:
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描述:DIODE SCHOTTKY 100V 10A F4
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RoHs状态:RoHS
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型号:G10-A-0375-75-024
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制造商:
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描述:MAGNET 0.628"D X 0.200"THICK CYL
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RoHs状态:RoHS
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型号:G1003A
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制造商:
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描述:N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
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RoHs状态:RoHS
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