• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > G12P10KE

G12P10KE

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
    图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 G12P10KE
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
数据库 G12P10KE.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 2144 pcs

参考价格(美元)
1
$0.133

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号G12P10KE
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10
  • 产品分类46
  • 产品状态2144 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1720 pF @ 50 V
  • 系列G
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）12A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs33 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）57W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-252
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识3V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压200mOhm @ 6A, 10V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

相关产品

NTHS4501NT1G Image
 型号：

NTHS4501NT1G

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

 RoHs状态：

RoHS
DMP2038USS-13 Image
 型号：

DMP2038USS-13

 		制造商：

Diodes Incorporated

 描述：

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO

 RoHs状态：

RoHS
G120E-SM-532 Image
 型号：

G120E-SM-532

 		制造商：

GHI Electronics, LLC

 描述：

IC MOD CORTEX-M3 120MHZ 96KB

 RoHs状态：

RoHS
AOTF66920L Image
 型号：

AOTF66920L

 		制造商：

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

 描述：

MOSFET N-CH 100V 22.5/41A TO220F

 RoHs状态：

RoHS
HUF76419S3S Image
 型号：

HUF76419S3S

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
G12P10TE Image
 型号：

G12P10TE

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT

 RoHs状态：

RoHS
G12P10K Image
 型号：

G12P10K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

 RoHs状态：

RoHS
NDS8426A Image
 型号：

NDS8426A

 		制造商：

Fairchild Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC

 RoHs状态：

RoHS
FDD8778 Image
 型号：

FDD8778

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

 RoHs状态：

RoHS
G12P03D3 Image
 型号：

G12P03D3

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

 RoHs状态：

RoHS
NTLJS4D9N03HTAG Image
 型号：

NTLJS4D9N03HTAG

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN

 RoHs状态：

RoHS
APT6010B2FLLG Image
 型号：

APT6010B2FLLG

 		制造商：

Microchip Technology

 描述：

MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

 RoHs状态：

RoHS
DMP4015SSSQ-13 Image
 型号：

DMP4015SSSQ-13

 		制造商：

Diodes Incorporated

 描述：

MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO

 RoHs状态：

RoHS
G12U50F4 Image
 型号：

G12U50F4

 		制造商：

Diodes Incorporated

 描述：

DIODE SCHOTTKY 50V 12A F4

 RoHs状态：

RoHS
G12P06K Image
 型号：

G12P06K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

 RoHs状态：

RoHS
G120B-SM-373 Image
 型号：

G120B-SM-373

 		制造商：

GHI Electronics, LLC

 描述：

IC MOD CORTEX-M3 120MHZ 96KB

 RoHs状态：

RoHS
G120D-SM-533 Image
 型号：

G120D-SM-533

 		制造商：

GHI Electronics, LLC

 描述：

G120/LPC1788 EVAL BRD

 RoHs状态：

RoHS
G12P04K Image
 型号：

G12P04K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45

 RoHs状态：

RoHS
NVH4L060N090SC1 Image
 型号：

NVH4L060N090SC1

 		制造商：

onsemi

 描述：

-

 RoHs状态：

RoHS
G120P03S2 Image
 型号：

G120P03S2

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P-30V,-16A,RD(MAX)<14M@-10V,VTH-

 RoHs状态：

RoHS

相关标签

  • Goford Semiconductor

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们