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G12P10TE

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
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产品概述

型号 G12P10TE
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
数据库 G12P10TE.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 75 pcs

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产品特性

  • 型号G12P10TE
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
  • 产品分类46
  • 产品状态75 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds760 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）12A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs25 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）40W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识3V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压200mOhm @ 6A, 10V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

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