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G1NP02LLE

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
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产品概述

型号 G1NP02LLE
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 NP20V, 1.3A/-1.1A,RD<210M@4.5V,R
数据库 G1NP02LLE.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 3000 pcs

参考价格(美元)
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产品特性

  • 型号G1NP02LLE
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述NP20V, 1.3A/-1.1A,RD<210M@4.5V,R
  • 产品分类44
  • 产品状态3000 pcs Stock
  • 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds146pF @ 10V, 177pF @ 10V
  • 组态-
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水(Id)1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体SOT-23-6
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大1.25W (Tc)
  • 供应商设备封装SOT-23-6L
  • 产品状态Active
  • VGS(TH)(最大)@标识1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
  • RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
  • FET特点Standard

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