• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > G230P06T

G230P06T

Goford Semiconductor

  • 图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 G230P06T
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
数据库 G230P06T.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 55 pcs

参考价格(美元)
1
$0.28

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号G230P06T
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
  • 产品分类46
  • 产品状态55 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds4499 pF @ 30 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）60A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs62 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）115W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压20mOhm @ 10A, 10V
  • FET特点-
  • FET型P-Channel

相关产品

FDG328P Image
 型号：

FDG328P

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

 RoHs状态：

RoHS
FDMS8672AS Image
 型号：

FDMS8672AS

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN

 RoHs状态：

RoHS
NTP27N06L Image
 型号：

NTP27N06L

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
TK20V60W,LVQ Image
 型号：

TK20V60W,LVQ

 		制造商：

Toshiba Semiconductor and Storage

 描述：

MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

 RoHs状态：

RoHS
RJK5034DPP-A0#T2 Image
 型号：

RJK5034DPP-A0#T2

 		制造商：

Renesas Electronics America Inc

 描述：

MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP

 RoHs状态：

RoHS
G2305 Image
 型号：

G2305

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P20V,RD(MAX)<50M@-4.5V,RD(MAX)<7

 RoHs状态：

RoHS
G23N06K Image
 型号：

G23N06K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M

 RoHs状态：

RoHS
G230P06K Image
 型号：

G230P06K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,

 RoHs状态：

RoHS
PJMF900N60EC_T0_00001 Image
 型号：

PJMF900N60EC_T0_00001

 		制造商：

Panjit International Inc.

 描述：

600V SUPER JUNCITON MOSFET

 RoHs状态：

RoHS
G230P06S Image
 型号：

G230P06S

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

 RoHs状态：

RoHS
MCH3474-TL-H Image
 型号：

MCH3474-TL-H

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 30V 4A SC70FL/MCPH3

 RoHs状态：

RoHS
CSD13380F3 Image
 型号：

CSD13380F3

 		制造商：

Texas Instruments

 描述：

MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR

 RoHs状态：

RoHS
G2304 Image
 型号：

G2304

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

 RoHs状态：

RoHS
DMN30H4D0LFDE-13 Image
 型号：

DMN30H4D0LFDE-13

 		制造商：

Diodes Incorporated

 描述：

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

 RoHs状态：

RoHS
SIHG22N50D-GE3 Image
 型号：

SIHG22N50D-GE3

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC

 RoHs状态：

RoHS
RFD12N06RLE Image
 型号：

RFD12N06RLE

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

 RoHs状态：

RoHS
G2312 Image
 型号：

G2312

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

 RoHs状态：

RoHS
NTMFS011N15MC Image
 型号：

NTMFS011N15MC

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN

 RoHs状态：

RoHS
IXFK210N17T Image
 型号：

IXFK210N17T

 		制造商：

IXYS

 描述：

MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA

 RoHs状态：

RoHS
FQI6N15TU Image
 型号：

FQI6N15TU

 		制造商：

onsemi

 描述：

MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK

 RoHs状态：

RoHS

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们