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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > G3R350MT12D

G3R350MT12D

GeneSiC Semiconductor

  • G3R350MT12D Image
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产品概述

型号 G3R350MT12D
厂家/品牌 GeneSiC Semiconductor
产品描述 SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
数据库 G3R350MT12D.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 3044 pcs

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产品特性

  • 型号G3R350MT12D
  • 制造商GeneSiC Semiconductor
  • 描述SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
  • 产品分类46
  • 产品状态3044 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）15V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds334 pF @ 800 V
  • 系列G3R™
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）11A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）1200 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs12 nC @ 15 V
  • 技术SiCFET (Silicon Carbide)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-247-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号G3R350
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）74W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±15V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.69V @ 2mA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压420mOhm @ 4A, 15V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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  • GeneSiC
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