|
型号:HUF75639P3_F102
|
制造商:
|
描述:N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN7R0-150LBEZ
|
制造商:
|
描述:150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IPI076N12N3GAKSA1
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:FDMC8676
|
制造商:
|
描述:16A, 30V, 0.0059OHM, N-CHANNEL P
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GANGPRO-X
|
制造商:
|
描述:GANGPRO-X
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MMBF170-7
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IXFR48N60Q3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN140-650EBEZ
|
制造商:
|
描述:650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:SI7136DP-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:NTMFS4C805NAT3G
|
制造商:
|
描述:TRENCH 6 30V NCH
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN080-650EBEZ
|
制造商:
|
描述:650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN190-650EBEZ
|
制造商:
|
描述:650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN140-650FBEZ
|
制造商:
|
描述:650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:PJD25N03_L2_00001
|
制造商:
|
描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:SIHH14N60E-T1-GE3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN3R2-100CBEAZ
|
制造商:
|
描述:100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN063-650WSAQ
|
制造商:
|
描述:GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GANGPRO-CC-STD
|
制造商:
|
描述:GANGPRO-CC-STD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:HUF75829D3
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:GAN190-650FBEZ
|
制造商:
|
描述:650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
|
RoHs状态:RoHS
|