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GBL08-5300E3/51

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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产品概述

型号 GBL08-5300E3/51
厂家/品牌 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
产品描述 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
数据库 1.GBL08-5300E3/51.pdf 2.GBL08-5300E3/51.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
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产品特性

  • 型号GBL08-5300E3/51
  • 制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • 描述BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
  • 产品分类27
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Diodes-->Bridge Rectifiers
  • 电流 - 平均整流（Io）3 A
  • 电流 - Vr时反向漏电5 µA @ 800 V
  • 电压 - 正向（Vf）（最大）1 V @ 4 A
  • 电压 - 峰值反向（最大）800 V
  • 技术Standard
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体4-SIP, GBL
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号GBL08
  • 包裹Tube
  • 供应商设备封装GBL
  • 产品状态Obsolete
  • 二极管类型Single Phase

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GBL06L-5600E3/51 Image
 型号：

GBL06L-5600E3/51

 		制造商：

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

 RoHs状态：

RoHS
GBL08-E3/51 Image
 型号：

GBL08-E3/51

 		制造商：

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GBL06L-5701E3/51

 		制造商：

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

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 型号：

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 		制造商：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

 RoHs状态：

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 型号：

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 		制造商：

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 描述：

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 型号：

GBL08-M3/51

 		制造商：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

 RoHs状态：

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 型号：

GBL08-E3/45

 		制造商：

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 RoHs状态：

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 型号：

GBL08H

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 描述：

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 RoHs状态：

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 型号：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

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RoHS
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 型号：

GBL08-G

 		制造商：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBJ

 RoHs状态：

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 型号：

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 描述：

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 型号：

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BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL

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 型号：

GBL08 D2G

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

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RoHS
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 型号：

GBL08HD2G

 		制造商：

Taiwan Semiconductor Corporation

 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

 RoHs状态：

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GBL08L-5701E3/45 Image
 型号：

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 		制造商：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL

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 型号：

GBL06L-7000E3/45

 		制造商：

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 描述：

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 型号：

GBL08

 		制造商：

Taiwan Semiconductor Corporation

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 型号：

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 型号：

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 描述：

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

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 型号：

GBL08

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GeneSiC Semiconductor

 描述：

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RoHS

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