• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > GT025N06AD5

GT025N06AD5

Goford Semiconductor

  • 图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 GT025N06AD5
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
数据库 GT025N06AD5.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 4968 pcs

参考价格(美元)
1
$0.836

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号GT025N06AD5
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
  • 产品分类46
  • 产品状态4968 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds5044 pF @ 30 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）170A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs81 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-PowerTDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）104W (Tc)
  • 供应商设备封装8-DFN (4.9x5.75)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压2.2mOhm @ 20A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

相关产品

GT023N10T Image
 型号：

GT023N10T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~

 RoHs状态：

RoHS
GT025N06AM6 Image
 型号：

GT025N06AM6

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT035N10T Image
 型号：

GT035N10T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4

 RoHs状态：

RoHS
GT040N04D5I Image
 型号：

GT040N04D5I

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT023N10M Image
 型号：

GT023N10M

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4

 RoHs状态：

RoHS
GT025N06AT Image
 型号：

GT025N06AT

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2

 RoHs状态：

RoHS
GT025N06D5 Image
 型号：

GT025N06D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

 RoHs状态：

RoHS
GT011N03D5 Image
 型号：

GT011N03D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N30V,170A,RD<1.2M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT042P06T Image
 型号：

GT042P06T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<

 RoHs状态：

RoHS
GT013N04D5 Image
 型号：

GT013N04D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.

 RoHs状态：

RoHS
GT007N04TL Image
 型号：

GT007N04TL

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT025N06AM Image
 型号：

GT025N06AM

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT035N06T Image
 型号：

GT035N06T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V

 RoHs状态：

RoHS
GT011N03D5E Image
 型号：

GT011N03D5E

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-

 RoHs状态：

RoHS
GT013N04TI Image
 型号：

GT013N04TI

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5

 RoHs状态：

RoHS
GT035N10M Image
 型号：

GT035N10M

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V

 RoHs状态：

RoHS
GT009N04D5 Image
 型号：

GT009N04D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,100A,RD<1.3M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT019N04D5 Image
 型号：

GT019N04D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT030N08T Image
 型号：

GT030N08T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.

 RoHs状态：

RoHS
GT040N04TI Image
 型号：

GT040N04TI

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5

 RoHs状态：

RoHS

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们