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GT090N06D52

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
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产品概述

型号 GT090N06D52
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
数据库 GT090N06D52.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 3634 pcs

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产品特性

  • 型号GT090N06D52
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
  • 产品分类44
  • 产品状态3634 pcs Stock
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1620pF @ 30V
  • 组态2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）40A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）60V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs24nC @ 10V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-PowerTDFN
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号GT090N06
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大62W (Tc)
  • 供应商设备封装8-DFN (4.9x5.75)
  • 产品状态Active
  • VGS（TH）（最大）@标识2.4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压14mOhm @ 14A, 10V
  • FET特点-

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 型号：

GT088N06T

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N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT080N10M

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT090N06S

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 描述：

N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT080N10KI

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 描述：

N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT080N10TI

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 描述：

N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V

 RoHs状态：

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 型号：

GT095N10D5

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 描述：

N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT065P06T

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 描述：

P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH

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RoHS
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 型号：

GT090N06K

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MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252

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 型号：

GT095N10K

 		制造商：

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 描述：

N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)

 RoHs状态：

RoHS
GT060N04D3 Image
 型号：

GT060N04D3

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10

 RoHs状态：

RoHS
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 型号：

GT060N04T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220

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 型号：

GT080N08D5

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 描述：

N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0

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 型号：

GT060N04D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.

 RoHs状态：

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 型号：

GT080N10T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0

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GT095N10S

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