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GT095N10S

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
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产品概述

型号 GT095N10S
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N100V, 21A,RD<9.5M@10V,VTH1.2V~2
数据库 GT095N10S.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 4000 pcs

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产品特性

  • 型号GT095N10S
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N100V, 21A,RD<9.5M@10V,VTH1.2V~2
  • 产品分类46
  • 产品状态4000 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds2131 pF @ 50 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）11A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs29.4 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）8W (Tc)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.6V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压9.5mOhm @ 20A, 10V
  • FET型N-Channel

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