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GT100N12K

Goford Semiconductor

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产品概述

型号 GT100N12K
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
数据库 GT100N12K.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 2500 pcs

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产品特性

  • 型号GT100N12K
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
  • 产品分类46
  • 产品状态2500 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds2911 pF @ 60 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）65A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）120 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs50 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）75W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-252
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识3.5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压12mOhm @ 35A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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