• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > GT105N10F

GT105N10F

Goford Semiconductor

  • Goford Semiconductor
    图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 GT105N10F
厂家/品牌 Goford Semiconductor
产品描述 N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
数据库 GT105N10F.pdf
RoHs状态
库存状况 In Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 85 pcs

参考价格(美元)
1
$0.304

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号GT105N10F
  • 制造商Goford Semiconductor
  • 描述N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
  • 产品分类46
  • 产品状态85 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）4.5V, 10V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）25A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）100 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs54 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3 Full Pack
  • 安装类型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）20.8W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识2.5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压10.5mOhm @ 11A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

相关产品

GT100N12K Image
 型号：

GT100N12K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

 RoHs状态：

RoHS
GT110N06D5 Image
 型号：

GT110N06D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

 RoHs状态：

RoHS
GT105N10T Image
 型号：

GT105N10T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

 RoHs状态：

RoHS
GT104L1K Image
 型号：

GT104L1K

 		制造商：

Littelfuse Inc.

 描述：

THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD

 RoHs状态：

RoHS
GT100N12T Image
 型号：

GT100N12T

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

 RoHs状态：

RoHS
GT105U1K Image
 型号：

GT105U1K

 		制造商：

Littelfuse Inc.

 描述：

THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD

 RoHs状态：

RoHS
GT10N10 Image
 型号：

GT10N10

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.

 RoHs状态：

RoHS
GT110N06D3 Image
 型号：

GT110N06D3

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4

 RoHs状态：

RoHS
GT10J312(Q) Image
 型号：

GT10J312(Q)

 		制造商：

Toshiba Semiconductor and Storage

 描述：

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

 RoHs状态：

RoHS
GT100N12D5 Image
 型号：

GT100N12D5

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

 RoHs状态：

RoHS
GT110N06S Image
 型号：

GT110N06S

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1

 RoHs状态：

RoHS
GT1150 Image
 型号：

GT1150

 		制造商：

Comet America, LP

 描述：

GT1150 THERMOCOUPLE "K"

 RoHs状态：

RoHS
GT103J1K Image
 型号：

GT103J1K

 		制造商：

Littelfuse Inc.

 描述：

THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD

 RoHs状态：

RoHS
GT100N12M Image
 型号：

GT100N12M

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

 RoHs状态：

RoHS
GT103E1K Image
 型号：

GT103E1K

 		制造商：

Littelfuse Inc.

 描述：

THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD

 RoHs状态：

RoHS
GT100N04K Image
 型号：

GT100N04K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V

 RoHs状态：

RoHS
GT100N04D3 Image
 型号：

GT100N04D3

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5

 RoHs状态：

RoHS
GT102B1K Image
 型号：

GT102B1K

 		制造商：

Littelfuse Inc.

 描述：

THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD

 RoHs状态：

RoHS
GT10G131(TE12L,Q) Image
 型号：

GT10G131(TE12L,Q)

 		制造商：

Toshiba Semiconductor and Storage

 描述：

IGBT 400V 1W 8-SOIC

 RoHs状态：

RoHS
GT105N10K Image
 型号：

GT105N10K

 		制造商：

Goford Semiconductor

 描述：

MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252

 RoHs状态：

RoHS

相关标签

  • Goford Semiconductor

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们