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GT50JR21(STA1,E,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

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产品概述

型号 GT50JR21(STA1,E,S)
厂家/品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
产品描述 PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
数据库
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货: 0 pcs

参考价格(美元)
1
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产品特性

  • 型号GT50JR21(STA1,E,S)
  • 制造商Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
  • 产品分类49
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 输入类型Standard
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->IGBTs-->Single IGBTs
  • 的VCE(on)(最大)@ VGE,IC2V @ 15V, 50A
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大)50 A
  • 电流 - 集电极脉冲(ICM)100 A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600 V
  • 测试条件-
  • 开关能量-
  • 工作温度175°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-3P-3, SC-65-3
  • 安装类型Through Hole
  • 包裹Tube
  • 功率 - 最大230 W
  • 供应商设备封装TO-3P(N)
  • 产品状态Active
  • Td(开/关)@ 25°C-
  • IGBT类型-

售后服务

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