• 集成电路 (集成电路)
  • 分立半导体产品
  • 传感器, 传感器
  • RF/IF 和 RFID
  • 继电器
  • 电位器, 可变电阻
  • 开发板、套件、程序员
所有分类 >>
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix
    图像可能只是一种表示。请查看产品详细规格以获取更多信息。

产品概述

型号 IRFBE30STRR
厂家/品牌 Vishay / Siliconix
产品描述 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
数据库 IRFBE30STRR.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有现货： 0 pcs

参考价格(美元)

在线询价

请用您的联系信息填写所有必填字段。
点击 "SUBMIT REQUEST" 我们将很快通过电子邮件与您联系。
或者给我们发电子邮件: mds@weikengsz.com

如果数量超过显示的数量，请给我们您的目标价格。

在线询价

  • $ 0.0

产品特性

  • 型号IRFBE30STRR
  • 制造商Vishay / Siliconix
  • 描述MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds1300 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）4.1A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）800 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs78 nC @ 10 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安装类型Surface Mount
  • 基本产品编号IRFBE30
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）125W (Tc)
  • 供应商设备封装D²PAK (TO-263)
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识4V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压3Ohm @ 2.5A, 10V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

相关产品

IRFBE30LPBF Image
 型号：

IRFBE30LPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20STRL Image
 型号：

IRFBF20STRL

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30SPBF Image
 型号：

IRFBE30SPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20PBF Image
 型号：

IRFBF20PBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20LPBF Image
 型号：

IRFBF20LPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20SPBF Image
 型号：

IRFBF20SPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30PBF-BE3 Image
 型号：

IRFBE30PBF-BE3

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30PBF Image
 型号：

IRFBE30PBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20S Image
 型号：

IRFBF20S

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE20STRR Image
 型号：

IRFBE20STRR

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30L Image
 型号：

IRFBE30L

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20STRR Image
 型号：

IRFBF20STRR

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30 Image
 型号：

IRFBE30

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30STRL Image
 型号：

IRFBE30STRL

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20STRLPBF Image
 型号：

IRFBF20STRLPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20L Image
 型号：

IRFBF20L

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30S Image
 型号：

IRFBE30S

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20PBF-BE3 Image
 型号：

IRFBF20PBF-BE3

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBF20 Image
 型号：

IRFBF20

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

 RoHs状态：

RoHS
IRFBE30STRLPBF Image
 型号：

IRFBE30STRLPBF

 		制造商：

Vishay Siliconix

 描述：

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

 RoHs状态：

RoHS

相关标签

  • Vishay / Siliconix

相关新闻

售后服务

退货

 所有退货应在发票日期后60天内进行，并附上原始发票编号， 担保卡证书，
零件图片和退货原因的简要说明或测试报告。 60天后将不接受退货。退回的商品必须采用原包装并可转售
条件 由于客户在报价或销售时出现错误而退回的零件将不被接受。请联系客户服务 退货前的退货授权。

如何购买

 线上和线下订单均可提供。请从以下链接中找到订单流程指南： mds@weikengsz.com
如果您有任何操作问题，请随时与我们的客服联系。

付款

 预付TT（银行转账）、西联汇款、信用卡、PayPal。
客户负责运费、银行手续费、关税和税款。
我们专注于IC电子行业，致力于为用户提供最优质的IC产品。
您可以随时向我们发送您的需求，我们将尽快给您准确的答复。
关于我们
关于我们
隐私政策
网站地图
政策
使用条款
发票声明
质量
运输
产品资源
产品分类
制造商
行业新闻
客户服务
提交询价
联系我们