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型号:ISL9R8120S3ST
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040S3S
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制造商:
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描述:IGBT 430V 10A 130W TO263AB
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040D3STV
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制造商:
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描述:IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200MJ, D
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9R860S3ST
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040D3S
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制造商:
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描述:IGBT 430V 10A 130W TO252AA
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9R860PF2
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V3036D3S
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制造商:
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描述:IGBT 360V 21A 150W TO252AA
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9R860P2
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2540S3ST
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制造商:
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描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2540S3ST
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制造商:
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描述:IGBT 430V 15.5A TO263AB
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040S3S
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制造商:
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描述:N-CHANNEL IGBT
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V3036D3S
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制造商:
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描述:N-CHANNEL IGBT
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040S3ST
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制造商:
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描述:IGBT 430V 10A TO263AB
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040D3ST
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制造商:
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描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2540S3S
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制造商:
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描述:IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040D3ST
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制造商:
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描述:IGBT 430V 10A TO252AA
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040P3
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制造商:
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描述:N-CHANNEL IGBT
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9R860PF2
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9R860S3ST_NL
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制造商:
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描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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RoHs状态:RoHS
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型号:ISL9V2040S3ST
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制造商:
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描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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RoHs状态:RoHS
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