|
型号:IV1Q12050T3
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12015T2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12010O2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MBRB10H45-E3/81
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:VS-E4PH3006L-N3
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12005O2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:1N5397-E3/54
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AL
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:VSSA310SHM3_A/H
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:CDBMH150-HF
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1A SOD123T
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12010T2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:BYM13-30HE3/97
|
制造商:
|
描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1Q12050T4
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:VS-SD1100C22C
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A B-43
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12030U3
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12040U2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1Q12160T4
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12020T2
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D06006P3
|
制造商:
Inventchip
|
描述:DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:IV1D12020T3
|
制造商:
Inventchip
|
描述:SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:R6020825HSYA
|
制造商:
|
描述:DIODE GP 800V 250A DO205AB DO9
|
RoHs状态:RoHS
|