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型号:BUK6C3R3-75C118
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制造商:
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描述:N CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1Q12050T3
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制造商:
Inventchip
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描述:SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12010O2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D06006P3
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1Q12160T4
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制造商:
Inventchip
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描述:SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
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RoHs状态:RoHS
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型号:RJK0629DPE-00#J3
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
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RoHs状态:RoHS
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型号:BSC0996NSATMA1
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
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RoHs状态:RoHS
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型号:2SJ326-AZ
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制造商:
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描述:P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12010T2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12005O2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12040U2
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制造商:
Inventchip
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描述:SIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12020T2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:BUK9245-55A/C1118
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制造商:
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描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12015T2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2
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RoHs状态:RoHS
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型号:IPW60R125C6FKSA1
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12020T3
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制造商:
Inventchip
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描述:SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D12030U3
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制造商:
Inventchip
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描述:SIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T
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RoHs状态:RoHS
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型号:NTMFS4C10NBT1G
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制造商:
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描述:MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
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RoHs状态:RoHS
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型号:IV1D06006O2
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制造商:
Inventchip
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描述:DIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220
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RoHs状态:RoHS
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型号:SI3451DV-T1-GE3
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制造商:
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描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
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RoHs状态:RoHS
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