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产品概述

型号 IXTB30N100L
厂家/品牌 IXYS
产品描述 MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
数据库 IXTB30N100L.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号IXTB30N100L
  • 制造商IXYS
  • 描述MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）20V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds13200 pF @ 25 V
  • 系列Linear
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）30A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）1000 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs545 nC @ 20 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-264-3, TO-264AA
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号IXTB30
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）800W (Tc)
  • 供应商设备封装PLUS264™
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@标识5V @ 250µA
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压450mOhm @ 500mA, 20V
  • FET特点-
  • FET型N-Channel

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