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首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-fet, mosfet 单 > IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

IXYS

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产品概述

型号 IXTP1R6N100D2
厂家/品牌 IXYS / Littelfuse
产品描述 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
数据库 IXTP1R6N100D2.pdf
RoHs状态
库存状况 Out Stock
发货地 Hong Kong
运输方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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产品特性

  • 型号IXTP1R6N100D2
  • 制造商IXYS / Littelfuse
  • 描述MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
  • 产品分类46
  • 产品状态0 pcs Stock
  • 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）10V
  • 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds645 pF @ 25 V
  • 系列Depletion
  • 类别Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 电流 - 25°C连续排水（Id）1.6A (Tc)
  • 漏极至源极电压（Vdss）1000 V
  • 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs27 nC @ 5 V
  • 技术MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装/箱体TO-220-3
  • 安装类型Through Hole
  • 基本产品编号IXTP1
  • 包裹Tube
  • 功率耗散（最大）100W (Tc)
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 产品状态Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@标识-
  • RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压10Ohm @ 800mA, 0V
  • FET特点Depletion Mode
  • FET型N-Channel

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相关标签

  • IXYS
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  • Littelfuse / IXYS Integrated Circuits Division
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