|
型号:JANTX1N1190
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7373
|
制造商:
|
描述:RH POWER BJT
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1184R
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1202A
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1186
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7269U
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 200V 26A U1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7593U3
|
制造商:
|
描述:RH MOSFET _ U3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1188R
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 400V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1188
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7292
|
制造商:
Harris Corporation
|
描述:25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD,
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1190R
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1202AR
|
制造商:
|
描述:DIODE GP REV 200V 12A DO203AA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7381
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7380
|
制造商:
|
描述:MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTV2N6437
|
制造商:
|
描述:POWER BJT
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7389U
|
制造商:
|
描述:MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1204A
|
制造商:
|
描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTV2N6546
|
制造商:
|
描述:POWER BJT
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANSR2N7389
|
制造商:
|
描述:MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:JANTX1N1186R
|
制造商:
|
描述:SILICON RECTIFIER
|
RoHs状态:RoHS
|