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型号:MG1052-30
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI UP HERMETIC PILL
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG100HF12LEC1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12100W-XN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 140A 450W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1054-30
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI UP HERMETIC PILL
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12100S-BN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 140A 450W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1020-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG10P12E1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG100P12E2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1009-M11
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1056-30
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI UP HERMETIC PILL
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1010-M11
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12105S-BA1MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 150A 690W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG100HF12TLC1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12150D-BA1MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG10P12P2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules P2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1021-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1025-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12100D-BA1MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 160A 1000W D3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG100UZ12MRGJ
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules GJ
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1011-42
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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