|
型号:MG1275W-XN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 105A 368W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1275S-BA1MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1275W-XBN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 105A 348W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12450WB-BN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12MRC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12600WB-BR2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12400D-BN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 580A 1925W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1250H-XN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 75A 260W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12300WB-BN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 500A 1400W WB
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1240H-XBN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 25A 105W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12TLC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1400-M16
|
制造商:
|
描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12300D-BA1MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 450A 1800W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1250S-BA1MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12300D-BN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1275H-XN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 105A 348W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG1225H-XN2MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MOD 1200V 40A 147W
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12TLC1
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG12300D-BN3MM
|
制造商:
|
描述:IGBT MODULE 1200V 450A 1450W D3
|
RoHs状态:RoHS
|
|
型号:MG150HF12LEC2
|
制造商:
Yangjie Technology
|
描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
|
RoHs状态:RoHS
|