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型号:MG1400-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1650-M16
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1275H-XN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 105A 348W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1250H-XN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 75A 260W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150HF12TLC1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG12600WB-BR2MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150P12E2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1275W-XN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 105A 368W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1275W-XBN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 105A 348W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG15P12P3
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules P3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150HF12LEC2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1275S-BA1MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG15P12E1
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E1
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG15P12P2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules P2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150TF12E2A
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules E2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1643-83B
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制造商:
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描述:GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC STUD
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150HF12TLC2
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制造商:
Yangjie Technology
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描述:Transistors - IGBTs - Modules C2
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG150J7KS61
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制造商:
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描述:IGBT MOD 600V 150A 750W
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1250S-BA1MM
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制造商:
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描述:IGBT MODULE 1200V 80A 500W S3
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RoHs状态:RoHS
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型号:MG1250W-XBN2MM
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制造商:
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描述:IGBT MOD 1200V 75A 260W
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RoHs状态:RoHS
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